石墨烯加热 SiC法

石墨烯的合成方法主要有两种：机械方法和化学方法。

机械方法包括微机械分离法、取向附生法和加热SiC的方法 ；

 化学方法是化学还原法与化学解理法。

加热 SiC法

　　该法是通过加热单晶6H-SiC脱除Si，在单晶(0001) 面上分解出石墨烯片层。

具体过程是：将经氧气或氢气刻蚀处理得到的样品在高真空下通过电子轰击加热，除去氧化物。

用俄歇电子能谱确定表面的氧化物完全被移除后，将样品加热使之温度升高至1250~1450℃后恒温1min~20min，

从而形成极薄的石墨层，经过几年的探索，Berger等人已经能可控地制备出单层或是多层石墨烯。其厚度由加热温度决定，制备大面积具有单一厚度的石墨烯比较困难。